第818章 吃干抹净方小年(求订)(4 / 6)

投票推荐 加入书签 留言反馈

  这就开始出现方年所说的技术瓶颈。
  按照国际半导体技术蓝图定义技术节点是最小金属间距(mmp)的一半来算,mmp减少开始变缓;
  偏偏3d化后,晶体管数量依旧激增,这样就显示不出工艺进步了。
  于是……
  下一代工艺命名就按照了早期二维晶体管形式的长宽各缩短0.7,则面积缩小一半(0.7x0.7=0.5)这样的一个形式来简化计算。
  什么叫简化计算……
  即,20x0.7=14。
  再然后是14→10→7→5→3。
  那么实际上mmp减少了多少呢?
  以台积电为例,从10纳米到7纳米,mmp从44纳米降到了40纳米。
  只有坚守摩尔定律的英特尔死活在14nm+、++、+++上停滞不前。
  英特尔甚至想说一句:不标准的命名规则都特么是耍流氓。
  这也是从终端用户角度上,更先进制程的突破,体验感并未成倍数突破的原因。
  甚至可以说,英特尔的14nm+++≈广泛意义上的7nm。
  因为两者每平方毫米晶体管数量基本相等。
  综上……
  方年之所以毫不犹豫allineuv。
  是因为这特么眨巴眼的功夫,就必须要用到euv了。
  在方年重生之前,别说瓦森纳、禁运这些,就唯一可以生产euv的asml手头上握着起码能排到五年后的订单。
  原因十分简单:产不出来。
  方年既然有理想有抱负,怎么可能在这里不来一手准备?
  现在开始allineuv,起码五年十年后,梼杌是能搞出来点东西的。
  euv(极紫外)的光源波长直接就从193纳米跳到了10~14纳米之间的,目前研究资料表明,13.5nm波长是可用性最高的。
  这样一来,在尖端光刻领域,就有了话语权。
  稍顿,苗为沉吟着道:“duv光刻的进展这么顺利,前沿有无量产计划?”
  “暂时没有,到28纳米再说。”方年平静道,“我想应该有人会主动给我们送这中间的成套设备。”
  苗为一下就懂了,忍不住伸手虚点了方年两下:“你小子,难怪马珀利跟雷軍都公开吹捧说你是最成功的商人,没有之一云云,你简直就是个商业奇才!”
  接着又含蓄的提了句:“大基金的事情快提上议程了。”
  “……”
  方年笑笑,没接话茬,再次直接转移了话题:“月底之前,胜遇实验室的4g组网方案可基本实用; ↑返回顶部↑

章节目录